Un gruppo di ricercatori del The City College of New York collaborando assieme alla Drexel University, al Brookhaven National Laboratory e alla South University of Science and Technology in Cina, ha sviluppato un nuovo tipo di materiale, un ossido complesso, che viene descritto come il possibile "sostituto definitivo per la memoria flash".
Il lavoro è stato incentrato sullo sviluppo di un singolo materiale in grado di combinare proprietà magnetiche e ferroelettriche, ovvero un "multiferroico". Combinare insieme queste due proprietà rende possibile controllare le cariche usando campi magnetici e controllare lo spin applicando una tensione. Questo può condurre ad un nuovo approccio alla progettazione nel campo dei circuiti logici e nel campo della spintronica.
Negli scorsi anni i ricercatori del Tyndall National Institute in Irlanda hanno suggerito la possibilità di adottare tecniche di deposizione di strati atomici per depositare ossidi di terre rare e creare così una "chiavetta USB da un terabyte nel futuro immediato".
La nuova ricerca è di fatto un'evoluzione ulteriore di quanto emerso in Irlanda, e ha permesso di sviluppare un processo mediante il quale realizzare ossidi complessi utilizzando elementi comuni come bario, titanio e manganese. Il nuovo materiale fa parte del gruppo dell'Hollandite, un minerale composto da manganato di bario e manganese. I risultati della nuova ricerca confermano le previsioni che gli scienziati hanno elaborato da quasi due decenni, ovvero che sostanze inorganiche di questo tipo hanno una natura ferroelettrica.
Stephem O'Brien, associate professor di chimica al The City College, ha commentato: "Il sacro graal in questo campo è l'unione di elementi magnetici e ferroelettrici a temperatura ambiente con una sufficiente grado di interazione". Anche J.F. Scott, conosciuto come il "padre dei ferroelettrici integrati" ha più volte osservato come i multiferroici possano avere un futuro nel campo della realizzazione di dispositivi di memoria.
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