STMicroelectronics, ha annunciato di aver stretto un accordo di collaborazione con Samsung Electronics nel campo della produzione Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI) a 28 nanometri. Grazie all'accordo Samsung avrà modo sfruttare il processo produttivo FD-SOI a 28 nanometri facendo leva sulla capacità produttiva delle proprie fabbriche.
Con questo accordo rappresenta un complemento delle capacità di produzione che ST può disporre nel proprio stabilimento di Crolles, in Francia. Il processo FD-SOI a 28nm di Samsung verrà valutato all'inizio del 2015 per la produzione in volumi. Il Process Design Kit è comunque già disponibile fin da ora per i clienti interessati.
"Sulla base della solida relazione tra ST e Samsung nel contesto dell'International Semiconductor Development Alliance, questo accordo rafforza la collaborazione estendendola al processo FD-SOI a 28 nanometri, espandendo l'ecosistema ed aumentando la capacità di fabbrica per ST e per l'intero settore. L'accordo conferma e rafforza ulteriormente lo slancio delle attività di cui abbiamo fatto esperienza con questa tecnologia nel corso dei precedenti trimestri con il coinvolgimento di clienti e progetti nel segmento Embedded Processing Solution. Prevediamo un'ulteriore espansione dell'ecosistema FD-SOI, che includa i principali fornitori IP ed EDA, il che poterà ad un arricchimento del catalogo IP disponibile per il processo FD-SOI a 28nm" ha commentato Jean-Marc Chery Chief Operating Officer di ST.
Sull'accordo si è espresso anche Seh-Woong Jeong, executive vice president della dicisione System LSI di Samsung Electronics: "Abbiamo il piacere di annunciare questa collaborazione su FD-SOI con ST. Si tratta di una soluzione ideale per i clienti che cercano prestazioni ed efficienza al nodo a 28 nanometri senza dover migrare verso i 20 nanometri. Il processo a 28 nanometri ha ottime rese e l'aspettativa di una lunga vita sulla base di capacità produttive ben consolidate. L'aggiunta di FD-SOI al nostro catalogo tecnologico permette a Samsung di offrire una gamma completa di processi a 28 nanometri per il successo dei clienti".
La tecnologia FD-SOI è stata sviluppata nel contesto di una attività di ricerca collaborativa tra ST, CEA-Leti e Soitec e all'interno di un transistor prevede il confinamento, al di sotto del gate e al di sopra dell'ossido sepolto, del canale di conduzione che si forma tra la sorgente ed il pozzo. Si tratta di una tecnologia che permette di ottenere una serie di benefici, tra cui una riduzione del consumo energetico dei prodotti finiti, usando le tecnologie di produzione planari in contrapposizione alle tecnologie di transistor tridimensionali, come ad esempio FinFET.
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