Nonostante non siano ancora disponibili modelli di motherboard o CPU compatibili con i nuovi standard DDR4, SK Hynix sta portando avanti lo sviluppo delle tecnologie necessarie per la realizzazione di moduli RAM DDR4 ad alta densità. Il produttore di semiconduttori sudcoreano ha svelato il primo modulo DDR4 da 128GB, basato su chip di memoria proprietari da 8Gb sviluppati con processo produttivo da 20nm.
"Lo sviluppo del primo modulo DDR4 da 128GB ha un'importanza significativa nel lancio di altissime densità per il mercato dei server", ha diciarato Sung Joo Hong, responsabile dello sviluppo DRAM presso SK Hynix. "La compagnia continuerà a rafforzare la propria competitività nel segmento premium delle memorie DRAM con lo sviluppo di prodotti ad alta densità e velocità, e con consumi energetici ridotti".
SK Hynix utilizza la tecnologia TSV nei nuovi moduli, acronimo di Through Silicon Via. Si tratta di un processo produttivo con il quale è possibile realizzare connessioni elettriche in verticale attraverso un die in silicio. Rispetto ai precedenti moduli di memoria, il produttore è riuscito pertanto a raddoppiare la densità mediante l'uso del processo TSV.
I nuovi moduli di memoria vantano una velocità di 2.133Mbps e grazie al bus a 64-bit possono processare dati sino a 17GB al secondo. Il loro funzionamento è previsto a 1,2V, laddove per lo standard DDR3 erano necessari 1,5V. La produzione di massa del nuovo modulo è attesa per la prima metà del 2015, e per il solo mercato dei server, dal momento che i 128GB di RAM su singolo modulo risulterebbero in sostanza inutili (e non compatibili nemmeno con le schede madri future) per il mercato consumer, anche nei segmenti enthusiast più estremi.
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SK Hynix sviluppa il primo modulo DDR4 da 128GB
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